技术背景

现代无线手持通信无线电功率放大器(PA)在内)均是在深亚微米CMOS中得以实现。不过，在无线基础设施系统中，由于需要较大的输出功率等级，必须通过硅LDMOS或混合技术才能实现RF PA.对下一代可重新配置的基础设施系统而言，开关模式PA似乎能为多频带多模式发射器提供所需的灵活性和高性能。但是，为了将基站SMPA中使用的高功率晶体管与发射器的所有数字CMOS模块相连，需要能够生成高压摆幅的宽带RF CMOS驱动器。这样不仅能实现更优的高功率晶体管性能，ITO感应膜开关而且还能将数字信号处理直接用于控制所需的SMPA输入脉冲波形，从而提高系统整体性能。

设计挑战

LDMOS或GaN SMPA的输入电容通常为几个皮法，必须由振幅高于5Vpp的脉冲信号驱动。因此，SMPA CMOS驱动器必须同时提供高压和瓦特级的射频功率。遗憾的是，深亚微米CMOS给高压和大功率放大器及驱动器的实现提出了诸多挑战，尤其是极低的最大工作电压(即可靠性问题引起的低击穿电压)和损耗较大的无源器件。

现有解决方案

用于实现高压电路的方法并不多。可以采用能够实现高压容限晶体管的技术解决方案，但代价是生产流程较昂贵，必须向基线CMOS工艺添加额外的掩模和处理步骤，因此这种方案并不理想。此外，为可靠地增加高压耐受力，可以采用仅使用标准基线晶体管的电路方案。在第二种方法中，器件堆叠或串联阴极是最常见的例子。但是，射频复杂性和性能具有很大的局限性，尤其是当串联阴极器件的数量增加至2个或3个以上时。

漏极延伸器件基于智能布线技术，这得益于在ACTIVE、STI及GATE 区域中可实现十分精细的尺寸，并能在没有附加费用的条件下，利用基线深亚微米CMOS技术实现PMOS和NMOS两种高压容限晶体管。尽管与采用该工艺的标准晶体管相比，这些EDMOS设备的RF性能实际上较低，但由于消除了与其他HV等效电路相关的重要损耗机制，它们仍能在整个高压电路中实现较高整体性能。